IRF540NSTRRPBF, МОП-транзистор, N Канал, 33 А, 100 В, 0.044 Ом, 10 В, 4 В: от компании Electrony

Покупая изделие: irf540nstrrpbf, моп-транзистор, n канал, 33 а, 100 в, 0.044 ом, 10 в, 4 в наши специалисты помогут с выбором нужных сопутствующих товаров из каталога: Infineon . Мы проконсультируем вас по всем техническим деталям и в случае необходимости подберем аналогичный товар: ETM или похожий товар производителя infineon technologies. Помощь в подборе материалов от экспертов в своей области, а также оперативная доставка и сниженные цены на весь товар.

IRF540NSTRRPBF, МОП-транзистор, N Канал, 33 А, 100 В, 0.044 Ом, 10 В, 4 В

The IRF540NSTRRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation for use in a wide variety of applications. The surface-mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible ON-resistance in any existing surface-mount package. It is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2W in a typical surface-mount application. • Advanced process technology • Ultra-low ON-resistance • Dynamic dV/dt rating • Fast switching • Fully avalanche rating Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

МОП-транзистор IRF540NSTRRPBF

Характеристики:

Тип: N Канал

Максимальный ток: 33 А

Максимальное напряжение: 100 В

Сопротивление открытого канала: 0.044 Ом

Величина напряжения в пороге открытия: 10 В

Величина напряжения закрытия: 4 В