IRF3205STRLPBF, МОП-транзистор, N Канал, 110 А, 55 В, 0.008 Ом, 10 В, 4 В: от компании Electrony

Покупая изделие: irf3205strlpbf, моп-транзистор, n канал, 110 а, 55 в, 0.008 ом, 10 в, 4 в наши специалисты помогут с выбором нужных сопутствующих товаров из каталога: Infineon . Мы проконсультируем вас по всем техническим деталям и в случае необходимости подберем аналогичный товар: ETM или похожий товар производителя infineon technologies. Помощь в подборе материалов от экспертов в своей области, а также оперативная доставка и сниженные цены на весь товар.

IRF3205STRLPBF, МОП-транзистор, N Канал, 110 А, 55 В, 0.008 Ом, 10 В, 4 В

The IRF3205STRLPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The surface-mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible ON-resistance in any existing surface-mount package. It is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2W in a typical surface-mount application. • Advanced process technology • Dynamic dV/dt rating • Fully avalanche rating Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

МОП-транзистор IRF3205STRLPBF

Описание товара:

Тип: N-канальный МОП-транзистор

Максимальный ток: 110 А

Напряжение затвор-исток: 55 В

Сопротивление замкнутого состояния: 0.008 Ом

Напряжение затвор-исток (макс.): 10 В

Напряжение исток-затвор (макс.): 4 В