Покупая изделие: irf3205lpbf, моп-транзистор, n канал, 110 а, 55 в, 0.008 ом, 10 в, 4 в наши специалисты помогут с выбором нужных сопутствующих товаров из каталога: Infineon . Мы проконсультируем вас по всем техническим деталям и в случае необходимости подберем аналогичный товар: ETM или похожий товар производителя infineon technologies. Помощь в подборе материалов от экспертов в своей области, а также оперативная доставка и сниженные цены на весь товар.
IRF3205LPBF, МОП-транзистор, N Канал, 110 А, 55 В, 0.008 Ом, 10 В, 4 В
HEXFET® N-Channel Power MOSFET over 55A, Infineon MOSFET Transistors, Infineon (IR) MOSFET Transistors, Infineon International Rectifier comprehensive portfolio of rugged single and dual N-channel and P-channel devices offer fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements. Applications range from ac-dc and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
МОП-транзистор IRF3205LPBF: высокая производительность и надежность
Характеристики:
Тип: N-канальный
Максимальный ток: 110 А
Напряжение затвор-исток: 55 В
Сопротивление открытого канала: 0.008 Ом
Напряжение затвор-исток (включение): 10 В
Напряжение затвор-исток (выключение): 4 В
IRF3205LPBF - идеальный выбор для создания эффективных схем управления в различных устройствах.
| Характеристики | |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 55В |
| Непрерывный Ток Стока | 110А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 200Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.008Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-262 |
| Характеристики | |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Теги: Infineon