8 (495) 197-66-35 Москва
8 (495) 197-66-35 (доб 831) Нижний Новгород
8 (495) 197-66-35 (доб 812) Санкт-Петербург
Оптовая продажа электроники!
Мы работаем с 9:00 до 18:00


IR21531DPBF, Драйвер МОП-транзистора, полумостовой, питание 10В-16.8В, 660нс, DIP-8: от компании Electrony

  • IR21531DPBF, Драйвер МОП-транзистора, полумостовой, питание 10В-16.8В, 660нс, DIP-8: от компании Electrony
  • IR21531DPBF, Драйвер МОП-транзистора, полумостовой, питание 10В-16.8В, 660нс, DIP-8: от компании Electrony
  • IR21531DPBF, Драйвер МОП-транзистора, полумостовой, питание 10В-16.8В, 660нс, DIP-8: от компании Electrony
  • Покупая изделие: ir21531dpbf, драйвер моп-транзистора, полумостовой, питание 10в-16.8в, 660нс, dip-8 наши специалисты помогут с выбором нужных сопутствующих товаров из каталога: Infineon . Мы проконсультируем вас по всем техническим деталям и в случае необходимости подберем аналогичный товар: ETM или похожий товар производителя infineon technologies. Помощь в подборе материалов от экспертов в своей области, а также оперативная доставка и сниженные цены на весь товар.

    IR21531DPBF, Драйвер МОП-транзистора, полумостовой, питание 10В-16.8В, 660нс, DIP-8

    The IR21531DPBF is a self-oscillating Half-bridge Gate Driver IC incorporates a high voltage half-bridge gate driver with a front end oscillator similar to the industry standard CMOS 555 timer. The IC provides more functionality and is easier to use. A shutdown feature has been designed into the CT pin, so that both gate driver outputs can be disabled using a low voltage control signal. In addition the gate driver output pulse widths are the same once the rising under-voltage lockout threshold on VCC has been improved significantly, both by lowering the peak DI/DT of the gate driver and by increasing the under-voltage lockout hysteresis to 1V. • True micro power start-up • Tighter initial dead-time control • Low temperature coefficient dead time • Shutdown features on CT pin • Lower power level-shifting circuit • Constant LO, HO pulse widths at start-up • Low side output in phase with RT • Excellent latch immunity on all inputs and outputs Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Драйверы и Контроллеры

    Характеристики
    Задержка Выхода 660нс
    Количество Выводов 8вывод(-ов)
    Конфигурация Привода полумост
    Максимальная Рабочая Температура 125 C
    Максимальное Напряжение Питания 16.8В
    Минимальная Рабочая Температура -40 C
    Минимальное Напряжение Питания 10В
    Соответствует Фталатам RoHS Будет Указано Позже
    Стиль Корпуса Привода dip
    Упаковка Поштучно
    Характеристики
    Вес 0.000454 кг.

    Написать отзыв

    Внимание: HTML не поддерживается! Используйте обычный текст!
        Плохо           Хорошо
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Код товара: 1f8e0e20
    • Доступность: В наличие
    • Артикул:
    • 240.00 р.


    Купить за 1 клик

    Теги: Infineon