IHW20N120R3 (H20R1203), Транзистор 1200V 40A 310W [TO-247-3]: от компании Electrony

Покупая изделие: ihw20n120r3 (h20r1203), транзистор 1200v 40a 310w [to-247-3] наши специалисты помогут с выбором нужных сопутствующих товаров из каталога: Infineon . Мы проконсультируем вас по всем техническим деталям и в случае необходимости подберем аналогичный товар: Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), Диодные мосты, Диоды быстродействующие, Ферритовые изделия, Драйверы MOSFET и IGBT или похожий товар производителя infineon technologies. Помощь в подборе материалов от экспертов в своей области, а также оперативная доставка и сниженные цены на весь товар.

IHW20N120R3 (H20R1203), Транзистор 1200V 40A 310W [TO-247-3]

The IHW20N120R3 is a Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode. The 3rd generation of reverse conducting IGBT has been optimized for lower switching and conduction losses. Reduced power dissipation together with soft switching behaviour allows better thermal performance and EMI behaviour resulting in lower system costs. It is suitable for rice cookers and other soft switching applications. • Excellent performance • Best-in-class conduction properties in VCE(sat) and Vf • Lowest switching losses, highest efficiency • Soft current turn-OFF waveforms for low EMI • Lowest power dissipation • Better thermal management • Surge current capability • Lower EMI filtering requirements • Excellent quality • Highest reliability against peak current • Very tight parameter distribution • High ruggedness, temperature stable behaviour • Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCEsat • Green product • Halogen-free

Транзистор 1200V 40A 310W

Мощный и надежный транзистор для различных электронных устройств

Транзистор 1200V 40A 310W предназначен для использования в различных электронных устройствах, где требуется высокая надежность и эффективность. С его помощью можно управлять силовыми цепями и обеспечивать стабильную работу устройств.

Характеристики:

• Напряжение: 1200V
• Ток: 40A
• Мощность: 310W
• Применение: различные электронные устройства

Благодаря своим характеристикам данный транзистор идеально подходит для использования в различных проектах, требующих высокую энергоэффективность и надежность.