Покупая изделие: bsm75gb120dn2, силовой igbt модуль, полумостовой, 1200в, 105а наши специалисты помогут с выбором нужных сопутствующих товаров из каталога: Infineon . Мы проконсультируем вас по всем техническим деталям и в случае необходимости подберем аналогичный товар: Ферритовые изделия, Диодные мосты, Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), Термоэлектрические модули и элементы Пельтье или похожий товар производителя infineon technologies. Помощь в подборе материалов от экспертов в своей области, а также оперативная доставка и сниженные цены на весь товар.
BSM75GB120DN2, Силовой IGBT модуль, полумостовой, 1200В, 105А
Силовой IGBT модуль BSM75GB120DN2
Характеристики:
Тип: Полумостовой
Напряжение: 1200В
Ток: 105А
Силовой IGBT модуль BSM75GB120DN2 обеспечивает надежное и эффективное управление электрическим током. Идеально подходит для применения в различных устройствах и системах.
- Производитель: Infineon Technologies
- Код товара: 1355d8d5
- Доступность: В наличие
- Артикул:
-
6 070.00 р.
Теги: Infineon