Покупая изделие: 2n7000-g, моп-транзистор, n канал, 200 ма, 60 в, 5 ом, 10 в, 3 в наши специалисты помогут с выбором нужных сопутствующих товаров из каталога: Microchip . Мы проконсультируем вас по всем техническим деталям и в случае необходимости подберем аналогичный товар: ETM или похожий товар производителя microchip. Помощь в подборе материалов от экспертов в своей области, а также оперативная доставка и сниженные цены на весь товар.
2N7000-G, МОП-транзистор, N Канал, 200 мА, 60 В, 5 Ом, 10 В, 3 В
MOSFETs Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Транзистор 2N7000-G: МОП-структура, N-канал, 200 мА, 60 В
Описание товара:
Транзистор 2N7000-G входит в категорию МОП-транзисторов с N-каналом. Он способен выдерживать ток до 200 мА и напряжение до 60 В. Сопротивление в открытом состоянии составляет 5 Ом. Транзистор идеально подходит для управления нагрузками в электрических цепях с напряжением от 10 В до 3 В.
Необходимый компонент для создания надежных схем и устройств!
| Характеристики | |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 200ма |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 1Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 5Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | to-92 |
| Характеристики | |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Теги: Microchip