Описание TLP350(F)
Photocoupler, IGBT/MOSFET Gate-Drive, Toshiba
Кол-во каналов1Напряжение изоляции3750 VrmsУстойчивость к выбросам напряжения, (Min)15 кВ/мксЗадержка распространения, tpLH/tpHL (Max)500 нс / 500 нсВремя нарастания/спада, (Typ)15 нс / 8 нсВыходной ток High/Low - уровня2 А / 2 АПиковый выходной ток2.5 АПрямое напряжение, Vf (Typ)1.6 ВПрямой ток, If (Max)20 мАНапряжение питания15… 30 ВРабочая температура-40…+100 CКорпусDIP-8 (0.300") / 11-10C4Вес, г1
| Характеристики | |
| Вес брутто | 1.3 г. |
| Время нарастания/спада | 15ns, 8ns |
| Выходной ток high, low | 2A, 2A |
| Задержка распространения | 500ns, 500ns |
| Напр. изоляции | 3750Vrms |
| Напр. питания | 15 V ~ 30 V |
| Нормоупаковка | 50 шт |
| Пиковый выходной ток | 2.5A |
| Устойчивость к выбросам напр. | 15kV/ µs |
| Число каналов | 1 |
| Корпус | DIP-8 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
