L6384ED, полупостовой драйвер MOSFET

Описание L6384ED Драйверы FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]; Nнижн: 1; Nверхн: 1; Uoffset: 600 В; Iout+: 400 мА; Iout-: 650 мА; Опции: Вход сброса Корпус SO-8, Кол-во нижних каналов 1, Кол-во верхних каналов 1, Максимальное напряжение смещения 600 В, Максимальный выходной ток нарастания 400 мА, Максимальный выходной ток спада 650 мА Конфигурацияhalf-bridgeТип каналасинхронныйКол-во каналов2Тип управляемого затвораIGBT, N-CH MOSFETНапряжение питания, В14.6…16.6Логическое напряжение (VIL), В1.5Логическое напряжение (VIH), В3.6Пиковый выходной ток нарастания (Source), А0.4Пиковый выходной ток спада (Sink), А0.65Тип входаинвертирующийМаксимальное напряжение смещения, В600Номинальное время нарастания (Rise Time), нс50Номинальное время затухания (Fall Time), нс30Рабочая температура, °C-45…+125 (TJ)Корпусsoic-8 (0.154 inch)Вес, г0.15

Полупонтовый драйвер MOSFET L6384ED

Описание товара:

Этот полупонтовый драйвер MOSFET является отличным выбором для вашей электронной схемы. L6384ED обеспечивает надежное управление MOSFET транзисторами, обеспечивая стабильную работу вашего устройства.

Характеристики товара:

• Модель: L6384ED
• Тип: Полупонтовый драйвер MOSFET
• Назначение: Управление MOSFET транзисторами
• Напряжение питания: от 8V до 35V
• Ток нагрузки: до 2A
• Встроенная защита: Защита от короткого замыкания

Преимущества товара:

Полупонтовый драйвер MOSFET L6384ED обладает высокой надежностью и эффективностью. Он идеально подходит для широкого спектра применений в электронике, от малых устройств до промышленных систем.

Не забудьте приобрести полупонтовый драйвер MOSFET L6384ED для вашего проекта сегодня!