Описание IR25607SPBF
MOSFET & IGBT Gate Drivers, High and Low Side, Infineon
Gate Driver ICs from Infineon to control MOSFET or IGBT power devices in high-side and low-side configurations.
Конфигурацияhalf-bridgeТип каналанезависимыйКол-во каналов2Тип управляемого затвораIGBT, N-CH MOSFETНапряжение питания, В10…20Логическое напряжение (VIL), В6Логическое напряжение (VIH), В9.5Пиковый выходной ток нарастания (Source), А2.5Пиковый выходной ток спада (Sink), А2.5Тип входанеинвертирующийМаксимальное напряжение смещения, В600Номинальное время нарастания (Rise Time), нс25Номинальное время затухания (Fall Time), нс17Рабочая температура, °C-40…+150 (TJ)Корпусsoic-16 (0.295 inch)Вес, г0.8
| Характеристики | |
| Вес брутто | 0.91 г. |
| Время задержки | 120ns |
| Конфигурация | High and Low Side, Independent |
| Напряжение питания | 10 V ~ 20 V |
| Нормоупаковка | 45 шт |
| Пиковый ток | 2.5A |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Число выходов | 2 |
| Корпус | SOIC16 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
