Описание IR2011SPBF
MOSFET & IGBT Gate Drivers, High and Low Side, Infineon
Gate Driver ICs from Infineon to control MOSFET or IGBT power devices in high-side and low-side configurations.
КонфигурацияHigh-Side/Low-SideТип каналанезависимыйКол-во каналов2Тип управляемого затвораN-CH MOSFETНапряжение питания, В10…20Логическое напряжение (VIL), В0.7Логическое напряжение (VIH), В2.2Пиковый выходной ток нарастания (Source), А1Пиковый выходной ток спада (Sink), А1Тип входаинвертирующийМаксимальное напряжение смещения, В200Номинальное время нарастания (Rise Time), нс35Номинальное время затухания (Fall Time), нс20Рабочая температура, °C-40…+150 (TJ)Корпусsoic-8 (0.154 inch)Вес, г0.15
Драйвер верхнего и нижнего плеча для импульсного источника электропитания IR2011SPBF
Описание товара:
Этот драйвер предназначен для использования в импульсных источниках электропитания с напряжением 200В и током 1.0/1.0A. Он обеспечивает эффективное управление верхним и нижним плечом источника, что позволяет получить стабильное электропитание для подключаемых устройств.
Особенности товара:
- Для импульсных источников питания
- Напряжение: 200В
- Ток: 1.0/1.0A
- Управление верхним и нижним плечом
Преимущества:
Этот драйвер обеспечивает надежную и стабильную работу импульсного источника электропитания, что делает его идеальным выбором для проектов, где требуется эффективное управление питанием.
Характеристики | |
Вес брутто | 0.2 г. |
Время задержки | 80ns |
Конфигурация | High and Low Side, Independent |
Напряжение питания | 10 V ~ 20 V |
Нормоупаковка | 95 шт |
Пиковый ток | 1A |
Тип входа | Non-Inverting |
Число выходов | 2 |
Корпус | SO-8 |
Тип упаковки | Tube (туба) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: 77db7e3e
- Доступность: В наличие
- Артикул: IR2011SPBF
-
рассчитывается индивидуально