Описание IR2010PBF
MOSFET & IGBT Gate Drivers, High and Low Side, Infineon
Gate Driver ICs from Infineon to control MOSFET or IGBT power devices in high-side and low-side configurations.
Конфигурацияhalf-bridgeТип каналанезависимыйКол-во каналов2Тип управляемого затвораIGBT, N-CH MOSFETНапряжение питания, В10…20Логическое напряжение (VIL), В6Логическое напряжение (VIH), В9.5Пиковый выходной ток нарастания (Source), А3Пиковый выходной ток спада (Sink), А3Тип входанеинвертирующийМаксимальное напряжение смещения, В200Номинальное время нарастания (Rise Time), нс10Номинальное время затухания (Fall Time), нс15Рабочая температура, °C-40…+150 (TJ)Корпусdip-14 (0.300 inch)Вес, г1.9
IR2010PBF: Драйвер верхнего и нижнего ключей
Описание товара:
Модель: IR2010PBF
Тип товара: Драйвер верхнего и нижнего ключей
Напряжение: 200В
Ток: 3.0/3.0А
IR2010PBF - это универсальный драйвер, предназначенный для работы с верхними и нижними ключами. Идеально подходит для различных электронных устройств и обеспечивает эффективную работу ключевых узлов при напряжении 200В и токе 3.0/3.0А.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 2.36 г. |
| Время задержки | 95ns |
| Конфигурация | High and Low Side, Independent |
| Напряжение питания | 10 V ~ 20 V |
| Нормоупаковка | 25 шт |
| Пиковый ток | 3A |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Число выходов | 2 |
| Корпус | DIP14 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
