![HGTG10N120BND, IGBT транзистор, [TO-247]: от компании Electrony](https://electrony.ru/image/cache//cont/-onsemiconductor/hgtg10n120bnd-igbt-tranzistor-to-247-500x500.jpg "HGTG10N120BND, IGBT транзистор, [TO-247]: от компании Electrony")
Покупая изделие: hgtg10n120bnd, igbt транзистор, [to-247] наши специалисты помогут с выбором нужных сопутствующих товаров из каталога: ON Semiconductor . Мы проконсультируем вас по всем техническим деталям и в случае необходимости подберем аналогичный товар: Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), Диодные мосты, Диоды быстродействующие, Ферритовые изделия, Драйверы MOSFET и IGBT или похожий товар производителя on semiconductor. Помощь в подборе материалов от экспертов в своей области, а также оперативная доставка и сниженные цены на весь товар.
HGTG10N120BND, IGBT транзистор, [TO-247]
IGBT транзистор HGTG10N120BND
Отличный выбор для осуществления эффективного управления током и напряжением
IGBT транзистор HGTG10N120BND представляет собой надежный и высококачественный компонент для использования в электронике. Благодаря своей конструкции и материалам, он обеспечивает стабильную работу и эффективное управление током и напряжением.
Особенности:
- Высокая надежность и долговечность
- Отличные характеристики производительности
- Простота в установке и подключении
Необходимый компонент для создания современных электронных устройств. Приобретите IGBT транзистор HGTG10N120BND прямо сейчас и обеспечьте надежную работу вашего оборудования!
| Характеристики | |
| Корпус | to-247 |
| Максимальное напряжение кэ ,В | 1200 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 35 |
| Мощность макс.,Вт | 298 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.45 |
| Температурный диапазон,С | -55…+150 |
| Управляющее напряжение,В | 6.8 |
| Характеристики | |
| Структура | n-канал |
Теги: ON Semiconductor