8 (495) 197-66-35 Москва
8 (495) 197-66-35 (доб 831) Нижний Новгород
8 (495) 197-66-35 (доб 812) Санкт-Петербург
Оптовая продажа электроники!
Мы работаем с 9:00 до 18:00


BT169D.112, Тиристор, [TO-92]: от компании Electrony

  • BT169D.112, Тиристор, [TO-92]: от компании Electrony
  • BT169D.112, Тиристор, [TO-92]: от компании Electrony
  • BT169D.112, Тиристор, [TO-92]: от компании Electrony
  • Покупая изделие: bt169d.112, тиристор, [to-92] наши специалисты помогут с выбором нужных сопутствующих товаров из каталога: WeEn . Мы проконсультируем вас по всем техническим деталям и в случае необходимости подберем аналогичный товар: Транзисторы биполярные (BJTs), Диодные мосты, Симисторы, Оптопары, Тиристоры и Триаки (симисторы) или похожий товар производителя ween semiconductors. Помощь в подборе материалов от экспертов в своей области, а также оперативная доставка и сниженные цены на весь товар.

    BT169D.112, Тиристор, [TO-92]

    Phase Control Thyristors, NXP Semiconductors Thyristors - Renesas Electronics A Thyristor is a solid-state semiconductor device with four layers of alternating N and P-type material. They act as bistable switches, conducting when their gate receives a current trigger, and continue to conduct while they are forward biased. Thyristors are synonymous to Silicon-Controlled Rectifier (SCR).

    Тиристор BT169D.112

    Мощный полупроводниковый прибор для электроники

    Тиристор BT169D.112 - это надежный и эффективный компонент для различных электронных устройств. Он используется для управления электрическим током, переключения и регулирования напряжения. Этот тиристор обеспечивает стабильную и безопасную работу оборудования.

    Характеристики:

    - Модель: BT169D.112

    - Тип: тиристор

    - Напряжение: 600 В

    - Ток: 16 А

    Преимущества:

    - Высокая надежность

    - Простота в установке

    - Долгий срок службы

    Приобретите тиристор BT169D.112 для вашего проекта и получите качественный результат!

    Характеристики
    Время включения tвкл.,мкс 2
    Корпус to92
    Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии 25
    Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии 25
    Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/d 25
    Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/d 25
    Макс. кратковременный импульсный ток в открытом состоянии Iкр.м 8
    Макс. кратковременный импульсный ток в открытом состоянии Iкр.м 8
    Макс. напр. в открытом состоянии Uос.макс.,В 1.5
    Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс.п 400
    Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс.п 400
    Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос. 0.8
    Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос. 0.8
    Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения 0.2
    Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения 0.2
    Отпирающее напряжение управления,соответствующее минимальному п 0.8
    Отпирающее напряжение управления,соответствующее минимальному п 0.8
    Рабочая температура,С -40…125
    Характеристики
    Максимальное обратное напряжение Uобр.,В 400

    Написать отзыв

    Внимание: HTML не поддерживается! Используйте обычный текст!
        Плохо           Хорошо
    • Производитель: WeEn Semiconductors
    • Код товара: 2bfa4431
    • Доступность: В наличие
    • Артикул:
    • 11.00 р.


    Купить за 1 клик

    Теги: WeEn