Описание MMSZ5267BT1G
Diode ConfigurationОдинарныйМаксимальная рабочая температура+150 °CТип диода ЗенераРегулятор напряженияКоличество элементов на ИС1Длина2.69ммДиапазон напряжения туннельного пробоя p-n-перехода5%ПроизводительON SemiconductorТип корпусаSOD-123Максимальное рассеяние мощности500 мВтТип монтажаПоверхностный монтажМинимальная рабочая температура-55 °CШирина1.6ммИспытательный ток1.7mAМаксимальный обратный ток утечки100nAВысота1.12ммЧисло контактов2Размеры2.69 x 1.6 x 1.12ммНоминальное напряжение стабилизации (напряжение Зенера)75VМаксимальный импеданс Зенера270ОмВес, г0.05
Характеристики | |
Вес брутто | 0.33 г. |
Динамическое сопротивление | 270Ом |
Макс. рассеиваемая мощность | 500мВт |
Напряжение стабилизации | 75В |
Нормоупаковка | 3000 шт |
Обратный ток утечки | 100нА при 56В |
Отклонение | ±5% |
Рабочая температура | -55°C .... 150°C |
Корпус | SOD-123 |
Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: 50c5308a
- Доступность: В наличие
- Артикул: MMSZ5267BT1G
-
рассчитывается индивидуально