Описание MBR735G
ON Semiconductor Schottky Barrier Diodes
This ON Semiconductor Schottky power rectifier employs the Schottky barrier principle using a barrier metal to create the best forward voltage drop?reverse current exchange. Suitable for low voltage, high-frequency rectification as well as a freewheeling and polarity protection diode in a range of surface mount applications wherever a more compact size and weight are key.
МатериалкремнийКол-во диодов в корпусе1Конфигурация диодаОдиночныйМаксимальное постоянное обратное напряжение, Vr35 вМаксимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV)7.5 АМаксимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If840 мВ при 15 АМаксимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr100 мкА при 35 ВРабочая температура PN-прехода-65…+175 CКорпусTO-220-2 / TO-220AC (2 Leads)Вес, г2.5
| Характеристики | |
| Нормоупаковка | 50 шт. |
| Обратное напряжение (макс.) | 35В |
| Средний прямой ток | 7.5А |
| Корпус | TO-220AC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: 2cc56f05
- Доступность: В наличие
- Артикул: MBR735G
-
рассчитывается индивидуально
