Описание MBR40250TG
ON Semiconductor Schottky Barrier Diodes
This ON Semiconductor Schottky power rectifier employs the Schottky barrier principle using a barrier metal to create the best forward voltage drop?reverse current exchange. Suitable for low voltage, high-frequency rectification as well as a freewheeling and polarity protection diode in a range of surface mount applications wherever a more compact size and weight are key.
МатериалкремнийКол-во диодов в корпусе1Конфигурация диодаОдиночныйМаксимальное постоянное обратное напряжение, Vr250 вМаксимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV)40 АМаксимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If970 мВ при 40 АМаксимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr30 мкА при 250 ВЕмкость при Vr, F500 пФ при 5 В, 1 МГцРабочая температура PN-прехода-65…+150 CКорпусTO-220-3 / TO-220AB (3 Leads)Вес, г2.5
Характеристики | |
Вес брутто | 2.86 г. |
Нормоупаковка | 50 шт |
Обратное напряжение (макс.) | 250В |
Средний прямой ток | 40А |
Корпус | TO-220AB |
Тип упаковки | Tube (туба) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: 8619fabc
- Доступность: В наличие
- Артикул: MBR40250TG
-
рассчитывается индивидуально