Описание MBR130LSFT1G
ON Semiconductor Schottky Barrier Diodes
This ON Semiconductor Schottky power rectifier employs the Schottky barrier principle using a barrier metal to create the best forward voltage drop?reverse current exchange. Suitable for low voltage, high-frequency rectification as well as a freewheeling and polarity protection diode in a range of surface mount applications wherever a more compact size and weight are key.
МатериалкремнийКол-во диодов в корпусе1Конфигурация диодаОдиночныйМаксимальное постоянное обратное напряжение, Vr30 вМаксимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV)1 АМаксимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If380 мВ при 1 АМаксимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr1 мА при 30 ВРабочая температура PN-прехода-55…+125 CКорпусSOD-123FLВес, г0.05
| Характеристики | |
| Быстродействие | Не более 500нс при токе более 200мА |
| Вес брутто | 0.03 г. |
| Нормоупаковка | 3000 шт |
| Обратное напряжение (макс.) | 30В |
| Обратный ток утечки | 1мА при 30В |
| Прямое напряжение (макс.) | 380мВ при 1А |
| Средний прямой ток | 1А |
| Корпус | SOD-123 |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: f2ea75a7
- Доступность: В наличие
- Артикул: MBR130LSFT1G
-
рассчитывается индивидуально
