Описание BAT54HT1G
ON Semiconductor Schottky Barrier Diodes
This ON Semiconductor Schottky power rectifier employs the Schottky barrier principle using a barrier metal to create the best forward voltage drop?reverse current exchange. Suitable for low voltage, high-frequency rectification as well as a freewheeling and polarity protection diode in a range of surface mount applications wherever a more compact size and weight are key.
МатериалкремнийКол-во диодов в корпусе1Конфигурация диодаОдиночныйМаксимальное постоянное обратное напряжение, Vr30 вМаксимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV)200 мА (DC)Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If800 мВ при 100 мАМаксимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr2 мкА при 25 ВЕмкость при Vr, F10 пФ при 1 В, 1 МГцРабочая температура PN-прехода-55…+150 CКорпусSOD-323Вес, г0.05
Экономичный диод для сверхбыстрого выпрямления
Модель: BAT54HT1G
Напряжение: 30V
Ток: 0.2A
Тип диода: Шоттки
Отличный выбор для надежной защиты ваших электронных устройств от обратных токов!
Характеристики | |
Быстродействие | Не нормируется при токе менее 200мА |
Вес брутто | 0.03 г. |
Время восстановления | 5нс |
Емкость | 10пФ при 1В на 1МГц |
Нормоупаковка | 3000 шт |
Обратное напряжение (макс.) | 30В |
Обратный ток утечки | 2мкА при 25В |
Прямое напряжение (макс.) | 800мВ при 100мА |
Средний прямой ток | 200мА |
Корпус | SOD-323 |
Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: b7d2bc88
- Доступность: В наличие
- Артикул: BAT54HT1G
-
рассчитывается индивидуально